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उत्पादों

एर, वाईबी: वाईएबी-एर, वाईबी कंपनी - डोप्ड फॉस्फेट ग्लास

संक्षिप्त वर्णन:

एर, वाईबी को-डोप्ड फॉस्फेट ग्लास "नेत्र-सुरक्षित" 1,5-1,6um रेंज में उत्सर्जित करने वाले लेज़रों के लिए एक प्रसिद्ध और आमतौर पर इस्तेमाल किया जाने वाला सक्रिय माध्यम है। 4 I 13/2 ऊर्जा स्तर पर लंबी सेवा जीवन। जबकि एर, वाईबी सह-डोप्ड येट्रियम एल्यूमीनियम बोरेट (एर, वाईबी: वाईएबी) क्रिस्टल आमतौर पर उपयोग किए जाते हैं, एर, वाईबी: फॉस्फेट ग्लास विकल्प, निरंतर तरंग और उच्च औसत आउटपुट पावर में "नेत्र-सुरक्षित" सक्रिय मध्यम लेजर के रूप में उपयोग किया जा सकता है। पल्स मोड में.


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

उत्पाद वर्णन

(ईआर, वाईबी: फॉस्फेट ग्लास) 4 आई 13/2 ईआर 3+ पर लेजर स्तर के लंबे जीवनकाल (~8 एमएस) को 4 आई 11/2 ईआर 3+ स्तर के निम्न (2-3 एमएस) के साथ जोड़ता है। जीवनकाल, Yb 3+ 2 के साथ प्रतिध्वनि F 5/2 उत्तेजित अवस्था उत्पन्न कर सकता है। क्रमशः 2 एफ 5/2 और 4 आई 11/2 पर उत्तेजित वाईबी 3+ और एर 3+ आयनों के बीच परस्पर क्रिया के कारण 4 आई 11/2 से 4 आई 13/2 तक तेजी से नॉनरेडिएटिव मल्टीफोनन छूट, यह ऊर्जा स्तर बहुत कम कर देता है वापस ऊर्जा स्थानांतरण और अप-रूपांतरण हानियाँ।
एर 3+, वाईबी 3+ सह-डोप्ड यट्रियम एल्यूमीनियम एल्यूमिनेट बोरेट (एर, वाईबी: वाईएबी) क्रिस्टल आमतौर पर एर, वाईबी: फॉस्फेट ग्लास विकल्प के रूप में उपयोग किए जाते हैं और इन्हें "नेत्र-सुरक्षित" सक्रिय मीडिया (1,5 -1) के रूप में उपयोग किया जा सकता है। ,6 माइक्रोन) सीडब्ल्यू और स्पंदित मोड में उच्च औसत आउटपुट पावर वाले लेजर। इसकी विशेषता ए-अक्ष और सी-अक्ष के साथ क्रमशः 7,7 Wm-1 K-1 और 6 Wm-1 K-1 की उच्च तापीय चालकता है। इसके अलावा उच्च दक्षता Yb 3+→Er 3+ ऊर्जा हस्तांतरण (~94%) और मेजबान की अधिकतम फोनन ऊर्जा के कारण 4 I 11/2 उत्तेजित अवस्था के बहुत कम जीवनकाल (~80 ns) के कारण कमजोर अपरूपांतरण हानि होती है। उच्च है (vmax ~1500 सेमी-1)। 976 एनएम पर एक मजबूत और व्यापक अवशोषण बैंड (लगभग 17 एनएम) देखा गया, जो InGaAs लेजर डायोड के उत्सर्जन स्पेक्ट्रम के अनुरूप है।

मूल गुण

क्रिस्टल अनुभाग (1×1)-(10×10)मिमी2
क्रिस्टल की मोटाई 0.5-5मिमी
आयामी सहिष्णुता ±0.1मिमी
तरंगाग्र विकृति ≤λ /8@633nm
खत्म करना 10/5 (एमआईएल-पीआरएफ-13830बी)
समतलता ≤λ /6@633nm
समानता 10 चाप सेकंड से बेहतर

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