Cr4+:YAG – निष्क्रिय Q-स्विचिंग के लिए एक आदर्श सामग्री
उत्पाद वर्णन
क्रिस्टल पैसिव क्यू-स्विच को विनिर्माण और संचालन की सरलता, कम लागत, तथा कम सिस्टम आकार और वजन के लिए पसंद किया जाता है।
Cr4+:YAG रासायनिक रूप से स्थिर, UV प्रतिरोधी और टिकाऊ है। Cr4+:YAG विभिन्न तापमानों और परिस्थितियों में काम करेगा।
Cr4+:YAG की अच्छी तापीय चालकता उच्च औसत शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
Nd:YAG लेज़रों के लिए निष्क्रिय Q-स्विच के रूप में Cr4+:YAG का उपयोग करके उत्कृष्ट परिणाम प्रदर्शित किए गए हैं। संतृप्ति प्रवाह लगभग 0.5 J/cm2 मापा गया। रंजकों की तुलना में 8.5 µs का धीमा पुनर्प्राप्ति समय, मोड लॉकिंग के दमन के लिए उपयोगी है।
7 से 70 ns की Q-स्विच्ड पल्स चौड़ाई और 30 Hz तक की पुनरावृत्ति दर प्राप्त की गई है। लेज़र क्षति सीमा परीक्षणों से पता चला कि AR लेपित Cr4+:YAG निष्क्रिय Q-स्विच 500 MW/cm2 से अधिक थे।
Cr4+:YAG की ऑप्टिकल गुणवत्ता और समरूपता उत्कृष्ट है। सम्मिलन हानि को कम करने के लिए, क्रिस्टल AR लेपित होते हैं। Cr4+:YAG क्रिस्टल एक मानक व्यास, और आपकी आवश्यकताओं के अनुरूप ऑप्टिकल घनत्व और लंबाई की एक श्रृंखला के साथ उपलब्ध हैं।
इसका उपयोग Nd:YAG और Nd,Ce:YAG, आकस्मिक आकार जैसे D5*(85+5) के साथ संबंध बनाने के लिए भी किया जा सकता है
Cr4+:YAG के लाभ
● उच्च रासायनिक स्थिरता और विश्वसनीयता
● संचालित करने में आसान होना
● उच्च क्षति सीमा (>500MW/cm2)
● उच्च शक्ति, ठोस अवस्था और कॉम्पैक्ट निष्क्रिय क्यू-स्विच के रूप में
● लंबा जीवनकाल और अच्छी तापीय चालकता
मूल गुण
| प्रोडक्ट का नाम | Cr4+:Y3Al5O12 |
| क्रिस्टल की संरचना | घन |
| डोपेंट स्तर | 0.5मोल-3मोल% |
| मोह कठोरता | 8.5 |
| अपवर्तक सूचकांक | 1.82@1064एनएम |
| अभिविन्यास | < 100>5° के भीतर या5° के भीतर |
| प्रारंभिक अवशोषण गुणांक | 0.1~8.5सेमी@1064एनएम |
| प्रारंभिक संप्रेषण | 3%~98% |
तकनीकी मापदंड
| आकार | 3~20मिमी, H×W:3×3~20×20मिमी ग्राहक के अनुरोध पर |
| आयामी सहनशीलता | व्यास:±0.05 मिमी, लंबाई: ±0.5 मिमी |
| बैरल फिनिश | ग्राउंड फ़िनिश 400#Gmt |
| समानता | ≤ 20" |
| खड़ापन | ≤ 15 ′ |
| समतलता | < λ/10 |
| सतही गुणवत्ता | 20/10 (एमआईएल-ओ-13830ए) |
| वेवलेंथ | 950 एनएम ~ 1100 एनएम |
| एआर कोटिंग परावर्तन | ≤ 0.2% (@1064एनएम) |
| क्षति सीमा | ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz 1064nm पर |
| नाला | <0.1 मिमी @ 45° |
