एनडी:वाईवीओ4 – डायोड पंप्ड सॉलिड-स्टेट लेज़र
उत्पाद वर्णन
Nd:YVO4 डिज़ाइन और आवृत्ति दोहरीकरण क्रिस्टल के साथ, Nd:YVO4 शक्तिशाली और स्थिर IR, हरे, नीले लेज़र उत्पन्न कर सकता है। जिन अनुप्रयोगों में अधिक सघन डिज़ाइन और एकल-अनुदैर्ध्य-मोड आउटपुट की आवश्यकता होती है, उनके लिए Nd:YVO4 अन्य सामान्यतः प्रयुक्त लेज़र क्रिस्टलों की तुलना में अपने विशेष लाभ प्रदर्शित करता है।
एनडी:वाईवीओ4 के लाभ
● कम लेज़िंग थ्रेशोल्ड और उच्च ढलान दक्षता
● लेज़िंग तरंगदैर्ध्य पर बड़ा उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन
● विस्तृत पंपिंग तरंगदैर्ध्य बैंडविड्थ पर उच्च अवशोषण
● प्रकाशिक रूप से एकअक्षीय और उच्च द्विअपवर्तन ध्रुवीकृत लेजर उत्सर्जित करता है
● पंपिंग तरंगदैर्ध्य पर कम निर्भरता और एकल मोड आउटपुट की ओर झुकाव
मूल गुण
| परमाणु घनत्व | ~1.37x1020 परमाणु/सेमी2 |
| क्रिस्टल की संरचना | जिरकोन टेट्रागोनल, अंतरिक्ष समूह D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| घनत्व | 4.22 ग्राम/सेमी2 |
| मोह्स कठोरता | कांच जैसा, 4.6 ~ 5 |
| थर्मल विस्तार गुणक | αa=4.43x10-6/के,αc=11.37x10-6/के |
| गलनांक | 1810 ± 25℃ |
| लेज़िंग तरंगदैर्ध्य | 914 एनएम, 1064 एनएम, 1342 एनएम |
| थर्मल ऑप्टिकल गुणक | डीएनए/डीटी=8.5x10-6/के, डीएनसी/डीटी=3.0x10-6/के |
| उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस सेक्शन | 25.0x10-19 सेमी2 , @1064 एनएम |
| फ्लोरोसेंट जीवनभर | 90 एमएस (2 एटीएम% एनडी डोप्ड के लिए लगभग 50 एमएस) @ 808 एनएम |
| अवशोषण गुणांक | 31.4 सेमी-1 @ 808 एनएम |
| अवशोषण लंबाई | 0.32 मिमी @ 808 एनएम |
| आंतरिक हानि | 0.1% सेमी-1 से कम, @1064 एनएम |
| बैंडविड्थ लाभ | 0.96 एनएम (257 गीगाहर्ट्ज) @ 1064 एनएम |
| ध्रुवीकृत लेजर उत्सर्जन | प्रकाशिक अक्ष (सी-अक्ष) के समानांतर |
| डायोड पंप ऑप्टिकल से ऑप्टिकल क्षमता | > 60% |
| सेल्मीयर समीकरण (शुद्ध YVO4 क्रिस्टल के लिए) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
तकनीकी मापदंड
| एनडी डोपेंट सांद्रता | 0.2 ~ 3 एटीएम% |
| डोपेंट सहिष्णुता | सांद्रता के 10% के भीतर |
| लंबाई | 0.02 ~ 20 मिमी |
| कोटिंग विनिर्देश | एआर @ 1064एनएम, आर< 0.1% और एचटी @ 808एनएम, टी> 95% |
| एचआर @ 1064एनएम, आर>99.8% और एचटी@ 808एनएम, टी>9% | |
| एचआर @ 1064 एनएम, आर>99.8%, एचआर @ 532 एनएम, आर>99% और एचटी @ 808 एनएम, टी>95% | |
| अभिविन्यास | ए-कट क्रिस्टलीय दिशा (+/-5℃) |
| आयामी सहिष्णुता | +/-0.1 मिमी (विशिष्ट), उच्च परिशुद्धता +/-0.005 मिमी अनुरोध पर उपलब्ध हो सकता है। |
| तरंगाग्र विरूपण | <λ/8 633nm पर |
| सतह की गुणवत्ता | MIL-O-1380A के अनुसार 20/10 स्क्रैच/डिग से बेहतर |
| समानता | < 10 आर्क सेकंड |
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