एनडी:YVO4-डायोड पंप सॉलिड-स्टेट लेजर
उत्पाद वर्णन
Nd:YVO4 Nd:YVO4 और आवृत्ति दोहरीकरण क्रिस्टल के डिजाइन के साथ शक्तिशाली और स्थिर आईआर, हरे, नीले लेजर का उत्पादन कर सकता है। उन अनुप्रयोगों के लिए जिनमें अधिक कॉम्पैक्ट डिज़ाइन और एकल-अनुदैर्ध्य-मोड आउटपुट की आवश्यकता होती है, Nd:YVO4 अन्य आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले लेजर क्रिस्टल पर इसके विशेष फायदे दिखाता है।
एनडी:वाईवीओ4 के लाभ
● कम लेज़िंग सीमा और उच्च ढलान दक्षता
● लेज़िंग तरंग दैर्ध्य पर बड़ा उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस-सेक्शन
● एक विस्तृत पंपिंग तरंग दैर्ध्य बैंडविड्थ पर उच्च अवशोषण
● प्रकाशिक रूप से एकअक्षीय और बड़े द्विअपवर्तन ध्रुवीकृत लेजर का उत्सर्जन करते हैं
● पंपिंग तरंग दैर्ध्य पर कम निर्भरता और एकल मोड आउटपुट की ओर रुझान
मूल गुण
| परमाणु घनत्व | ~1.37x1020 परमाणु/सेमी2 |
| क्रिस्टल की संरचना | जिरकोन टेट्रागोनल, अंतरिक्ष समूह D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| घनत्व | 4.22 ग्राम/सेमी2 |
| मोहस कठोरता | कांच जैसा, 4.6 ~ 5 |
| थर्मल विस्तार गुणक | αa=4.43x10-6/K,αc=11.37x10-6/K |
| गलनांक | 1810 ± 25℃ |
| लेज़िंग तरंग दैर्ध्य | 914 एनएम, 1064 एनएम, 1342 एनएम |
| थर्मल ऑप्टिकल गुणक | डीएनए/डीटी=8.5x10-6/के, डीएनसी/डीटी=3.0x10-6/के |
| उत्तेजित उत्सर्जन क्रॉस सेक्शन | 25.0x10-19 सेमी2, @1064 एनएम |
| फ्लोरोसेंट जीवनभर | 90 एमएस (2 एटीएम% एनडी डोप्ड के लिए लगभग 50 एमएस) @808 एनएम |
| अवशोषण गुणांक | 31.4 सेमी-1 @ 808 एनएम |
| अवशोषण लंबाई | 0.32 मिमी @ 808 एनएम |
| आंतरिक हानि | कम 0.1% सेमी-1, @1064 एनएम |
| बैंडविड्थ प्राप्त करें | 0.96 एनएम (257 गीगाहर्ट्ज) @ 1064 एनएम |
| ध्रुवीकृत लेजर उत्सर्जन | ऑप्टिक अक्ष के समानांतर (सी-अक्ष) |
| डायोड पंप किया गया ऑप्टिकल से ऑप्टिकल क्षमता | > 60% |
| सेलमीयर समीकरण (शुद्ध YVO4 क्रिस्टल के लिए) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
तकनीकी मापदंड
| एन डी डोपेंट एकाग्रता | 0.2 ~ 3 एटीएम% |
| डोपेंट सहनशीलता | एकाग्रता के 10% के भीतर |
| लंबाई | 0.02 ~ 20 मिमी |
| कोटिंग विशिष्टता | एआर @ 1064एनएम, आर<0.1% और एचटी @ 808एनएम, टी>95% |
| एचआर @ 1064एनएम, आर>99.8% और एचटी@808एनएम, टी>9% | |
| एचआर @ 1064एनएम, आर>99.8%, एचआर @ 532 एनएम, आर>99% और एचटी @ 808 एनएम, टी>95% | |
| अभिविन्यास | ए-कट क्रिस्टलीय दिशा (+/-5℃) |
| आयामी सहिष्णुता | +/-0.1 मिमी (सामान्य), उच्च परिशुद्धता +/- 0.005 मिमी अनुरोध पर उपलब्ध हो सकता है। |
| तरंगाग्र विकृति | <λ/8 633एनएम पर |
| सतह की गुणवत्ता | प्रति MIL-O-1380A 20/10 स्क्रैच/डिग से बेहतर |
| समानता | <10 चाप सेकंड |
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