AgGaSe2 क्रिस्टल - बैंड किनारे 0.73 और 18 µm पर
उत्पाद वर्णन
2.05 µm पर Ho:YLF लेजर द्वारा पंप करने पर 2.5-12 µm के भीतर ट्यूनिंग प्राप्त की गई है;साथ ही 1.4-1.55 µm पर पंप करने पर 1.9-5.5 µm के भीतर गैर-महत्वपूर्ण चरण मिलान (एनसीपीएम) संचालन।AgGaSe2 (AgGaSe) को अवरक्त CO2 लेजर विकिरण के लिए एक कुशल आवृत्ति दोहरीकरण क्रिस्टल के रूप में प्रदर्शित किया गया है।
फेमटोसेकंड और पिकोसेकंड शासन में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध सिंक्रोनस-पंप ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर्स (SPOPOs) के साथ संयोजन में काम करके, AgGaSe2 क्रिस्टल मध्य-आईआर क्षेत्र में नॉनलाइनियर पैरामीट्रिक डाउनकनवर्जन (अंतर आवृत्ति पीढ़ी, डीजीएफ) में प्रभावी साबित हुए हैं।मध्य-आईआर नॉनलाइनियर AgGaSe2 क्रिस्टल व्यावसायिक रूप से सुलभ क्रिस्टल के बीच योग्यता के सबसे बड़े आंकड़ों (70 pm2/V2) में से एक है, जो AGS समकक्ष से छह गुना अधिक है।AgGaSe2 कई विशिष्ट कारणों से अन्य मध्य-आईआर क्रिस्टल के लिए भी बेहतर है।उदाहरण के लिए, AgGaSe2 में स्थानिक वॉक-ऑफ कम है और यह विशिष्ट अनुप्रयोगों (उदाहरण के लिए विकास और कट दिशा) के लिए इलाज के लिए कम आसानी से उपलब्ध है, हालांकि इसमें बड़ी गैर-रैखिकता और समकक्ष पारदर्शिता क्षेत्र है।
अनुप्रयोग
● CO और CO2 - लेजर पर दूसरी हार्मोनिक्स पीढ़ी
● ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर
● 17 एमकेएम तक के मध्य अवरक्त क्षेत्रों के लिए विभिन्न आवृत्ति जनरेटर।
● मध्य आईआर क्षेत्र में आवृत्ति मिश्रण
मूल गुण
| क्रिस्टल की संरचना | चौकोर |
| सेल पैरामीटर्स | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| गलनांक | 851 डिग्री सेल्सियस |
| घनत्व | 5.700 ग्राम/सेमी3 |
| मोहस कठोरता | 3-3.5 |
| अवशोषण गुणांक | <0.05 सेमी-1 @ 1.064 µm <0.02 सेमी-1 @ 10.6 µm |
| सापेक्ष ढांकता हुआ स्थिरांक @ 25 मेगाहर्ट्ज | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| थर्मल विस्तार गुणक | ||सी: -8.1 x 10-6 /डिग्री सेल्सियस ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| ऊष्मीय चालकता | 1.0 डब्ल्यू/एम/डिग्री सेल्सियस |
